Solvay的CERIUM OXIDE HSA 8用于制造半导体的化学机械平面化（CMP）.CMP是一种平面化氧化硅，多晶硅和金属层表面浮雕的工艺。它用于平面化这些层，以便为光刻步骤做好准备.CMP使用与基板表面反应的化学物质，从而转化它（化学），磨料颗粒去除化学转化材料层（机械）。通过这种化学转变，与简单的机械抛光相比，平面化过程是相同的加速和改进的。

• CAS编号

  1306-38-3

• 全Q事业部

  特殊化学

  [123 ]
• 参见
  HSA8

[123稀土和金属化合物稀土氧化物氧化铈

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